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CPC3701
60V, Depletion-Mode, N-Channel
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Vertical DMOS FET
V (BR)DSX /
V (BR)DGX
60V
R DS(on)
(max)
1 ?
I DSS (min)
600mA
Package
SOT-89
Description
The CPC3701 is an N-channel, depletion mode, field
effect transistor (FET) that utilizes IXYS Integrated
Circuits Division’s proprietary third-generation vertical
DMOS process. The third-generation process realizes
Features
? Depletion Mode Device Offers Low R DS(on)
at Cold Temperatures
? Low On-Resistance: 1 ? max. at 25oC
? High Input Impedance
? Low V GS(off) Voltage: -0.8 to -2.9V
? Small Package Size SOT-89
Applications
? Ignition Modules
? Normally-On Switches
world class, high voltage MOSFET performance
in an economical silicon gate process. Our vertical
DMOS process yields a robust device, with high input
impedance, for use in high-power applications. The
CPC3701 is a highly reliable FET device that has
been used extensively in our Solid State Relays for
industrial and security applications.
The CPC3701 has a minimum breakdown voltage of
60V, and is available in the SOT-89 package. As with
all MOS devices, the FET structure prevents thermal
runaway and thermal-induced secondary breakdown.
?
Solid State Relays
?
?
?
Converters
Security
Power Supplies
Ordering Information
Part # Description
CPC3701C N-Channel Depletion Mode FET, SOT-89 Pkg.
Cut-Tape, Available in Quantities of 200, 400,
600, and 800 Only (see Note 1)
CPC3701CTR N-Channel Depletion Mode FET, SOT-89 Pkg.
Tape and Reel (1000/Reel)
Note 1: Orders for 1000 or greater must be for the "CTR" part option
and in increments of 1000.
Package Pinout (SOT-89)
G
D
D
Circuit Symbol
G
D
Pb
S
e 3
S
DS-CPC3701-R04
www.ixysic.com
1
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